Sputtering জমার আবরণ

স্পটরিং জবানবন্দিলেপ

যখন উচ্চ শক্তির কণাগুলি দৃ surface় পৃষ্ঠের উপর বোমা ফাটিয়ে থাকে, তখন শক্ত পৃষ্ঠের কণাগুলি শক্তি অর্জন করতে পারে এবং পৃষ্ঠ থেকে পালাতে পারে এবং স্তরটিতে জমা করতে পারে। 1830 সালে লেপ প্রযুক্তিতে স্পটরিং ঘটনাটি ব্যবহার করা শুরু হয়েছিল এবং 1930 এর পরে, জমানার হার বৃদ্ধির কারণে এটি ধীরে ধীরে শিল্প উত্পাদনে ব্যবহৃত হয়েছিল। সাধারণত, জমা করা জিনিসগুলি একটি প্লেটে তৈরি করা হয়─ একটি লক্ষ্য─ এবং ক্যাথোডে স্থির লক্ষ্যটি থেকে কয়েক সেন্টিমিটার দূরে লক্ষ্যটিকে সরাসরি বিপরীতে অ্যানাডে স্থাপন করা হয়। সিস্টেমটি একটি উচ্চ ভ্যাকুয়ামে পাম্প করার পরে, 10 ~ 1 পা গ্যাস (সাধারণত অর্গন) ভরা হয়, এবং মেরুগুলির মধ্যে আলোকসজ্জা তৈরি করতে ক্যাথোড এবং আনোডের মধ্যে কয়েক হাজার ভোল্ট প্রয়োগ করা হয়। স্রাব দ্বারা উত্পাদিত ধনাত্মক আয়নগুলি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের ক্রিয়া অনুসারে ক্যাথোডে উড়ে যায় এবং লক্ষ্য পৃষ্ঠের পরমাণুর সাথে সংঘর্ষ হয়। সংঘর্ষের ফলে লক্ষ্য পৃষ্ঠ থেকে পালিত লক্ষ্য পরমাণুগুলিকে স্পুটরিং পরমাণু বলা হয়, যার শক্তি 1 থেকে কয়েক ডজন ইলেক্ট্রন ভোল্টের মধ্যে থাকে। ছড়িয়ে পড়া পরমাণুগুলি ফিল্ম গঠনের জন্য স্তরটির পৃষ্ঠে জমা হয়। বাষ্পীভবন আবরণ থেকে পৃথক, sputtering আবরণ ফিল্ম উপাদানের গলনাঙ্ক দ্বারা সীমাবদ্ধ নয়, এবং ডাব্লু, টা, সি, মো, ডব্লিউসি, টিসি এবং অন্যান্য অবাধ্য উপাদানগুলি স্পট করতে পারে। স্পটরিং যৌগ ঝিল্লিটি বিক্রিয়াকারী স্পুত্রিং পদ্ধতি দ্বারা ব্যবহার করা যেতে পারে, যাতে আর গ্যাসে বিক্রিয়া গ্যাস (ও, এন, এইচএস, সিএইচ, ইত্যাদি) যুক্ত হয় এবং বিক্রিয়া গ্যাস এবং এর আয়নগুলি লক্ষ্য পরমাণু বা স্পটারিং পরমাণুর সাথে প্রতিক্রিয়া দেখায় যৌগগুলি তৈরি করুন (যেমন অক্সাইড, নাইট্রাইডস ইত্যাদি), যা সাবস্ট্রেটে জমা হয় are উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি sputtering অন্তরক ফিল্ম জমা করতে ব্যবহার করা যেতে পারে। স্তরটি গ্রাউন্ডেড ইলেক্ট্রোডে মাউন্ট করা হয় এবং অন্তরক লক্ষ্যটি বিপরীত ইলেক্ট্রোডে মাউন্ট করা হয়। এইচএফ বিদ্যুৎ সরবরাহের এক প্রান্তটি গ্রাউন্ডেড, এবং অন্য প্রান্তটি একটি ম্যাচিং নেটওয়ার্ক এবং বিচ্ছিন্ন ডিসি বর্তমান ক্ষমতার মাধ্যমে একটি উত্তাপ লক্ষ্য সহ সজ্জিত একটি বৈদ্যুতিনের সাথে যুক্ত। উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি পাওয়ার সাপ্লাই চালু হওয়ার পরে, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ভোল্টেজ ক্রমাগতভাবে এর মেরুভেদ পরিবর্তন করে। প্লাজমাতে ইলেকট্রন এবং ধনাত্মক আয়নগুলি যথাক্রমে ভোল্টেজের ধনাত্মক এবং নেতিবাচক অর্ধেক অন্তরক লক্ষ্যকে আঘাত করে। বৈদ্যুতিন গতিশীলতা ধনাত্মক আয়নগুলির চেয়ে বেশি হওয়ার কারণে, অন্তরক লক্ষ্য পৃষ্ঠটি নেতিবাচকভাবে চার্জ করা হয়। গতিশীল ভারসাম্যটি পৌঁছে গেলে লক্ষ্যটি নেতিবাচক পক্ষপাতের সম্ভাবনাতে থাকে, যাতে লক্ষ্যবস্তুতে ধনাত্মক আয়নগুলির sputtering অব্যাহত থাকে। চৌম্বকীয় স্পটটারিং ব্যবহার করে অ-চৌম্বকীয় স্পুতারের সাথে তুলনা করে প্রায় এক ক্রম মাত্রার জমার হার বাড়ানো যেতে পারে।

আইকেএস পিভিডি সংস্থা, আলংকারিক আবরণ মেশিন, সরঞ্জামের আবরণ মেশিন, অপটিক্যাল লেপ মেশিন, পিভিডি ভ্যাকুয়াম লেপ লাইন, টার্ন-কী প্রকল্পটি উপলভ্য। এখন আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন, ই-মেইল: iks.pvd@foxmail.com